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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē一般一个家庭一个月用多少吨水，一吨水多少钱)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江一般一个家庭一个月用多少吨水，一吨水多少钱存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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